參數(shù)資料
型號： SI6463BDQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
中文描述： P通道的1.8 V（GS）的MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 46K
代理商： SI6463BDQ
Si6463BDQ
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72018
S-21782—Rev. A, 07-Oct-02
www.vishay.com
1
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.015 @ V
GS
= -4.5 V
-7.4
-20
0.020 @ V
GS
= -2.5 V
- 6.3
0.027 @ V
GS
= -1.8 V
- 5.5
Si6463BDQ
D
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
S
S
D
TSSOP-8
Top View
S*
G
D
P-Channel MOSFET
* Source Pins 2, 3, 6 and 7
must be tied common.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
-20
Gate-Source Voltage
V
GS
8
V
T
A
= 25 C
- 7.4
-6.2
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 70 C
I
D
-5.9
4.9
Pulsed Drain Current (10 s Pulse Width)
I
DM
-30
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
-1.35
-0.95
T
A
= 25 C
1.5
1.05
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 70 C
P
D
1.0
0.67
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
t
10 sec
65
83
Maximum Junction-to-Ambient
a
Steady State
R
thJA
100
120
C/W
Maximum Junction-to-Foot
Steady State
R
thJF
46
56
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI6466ADQ N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI6466ADQ-T1 N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI6466 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
SI6467BDQ HEATSINK D-PAK3 TIN PLATED SMD
SI6467DQ P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI6463BDQ_05 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI6463BDQ-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 7.5A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6463BDQ-T1-E3/BKN 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P-CH MOSFET TSSOP-8 20V 15MOHM @ 4.5V
SI6463BDQ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 7.4A 1.5W 15mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6463DQ 功能描述:MOSFET TSSOP8 SINGLE PCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*