參數(shù)資料
型號： SI5941DU
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual P-Channel 8-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道8 - V（下局副局長）MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 147K
代理商： SI5941DU
S-52019
Rev. A, 03-Oct-05
3
Vishay Siliconix
SPICE Device Model Si5941DU
www.vishay.com
Document Number: 74132
COMPARISON OF MODEL WITH MEASURED DATA (T
J
=25
°
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI5945DU Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI5975DC Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI5975DC-T1 Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI5XX-EVB EVALUATION BOARD FOR Si53X XOS AND Si55X VCXOS
Si6423DQ P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
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參數(shù)描述
SI5943DU 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI5943DU-T1-E3 功能描述:MOSFET DUAL P-CH 12V(D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI5943DU-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 6.0A 8.3W 64mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI5944DU 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI5944DU-T1-E3 功能描述:MOSFET 40V 6.0A 10W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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