參數(shù)資料
型號(hào)： SI5941DU
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual P-Channel 8-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道8 - V（下局副局長(zhǎng)）MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大小： 147K
代理商： SI5941DU
Vishay Siliconix
2
SPICE Device Model Si5941DU
www.vishay.com
Document Number: 74132
S-52019
Rev. A, 03-Oct-05
SPECIFICATIONS (T
J
= 25
°
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Test Condition
Simulated
Data
Measured
Data
Unit
Static
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
μ
A
0.80
V
On-State Drain Current
a
I
D(on)
V
DS
≤
5V, V
GS
=
4.5V
54
A
V
GS
=
4.5V, I
D
=
3.6 A
0.058
0.055
V
GS
=
2.5V, I
D
=
2.9
Α
0.083
0.086
Drain-Source On-State Resistance
a
r
DS(on)
V
GS
=
1.8V, I
D
=
0.66
Α
0.114
0.125
Ω
Forward Transconductance
a
g
fs
V
DS
=
4V, I
D
=
3.6 A
9
8
S
Diode Forward Voltage
a
Dynamic
b
V
SD
I
S
=
1A, V
GS
= 0 V
0.80
0.80
V
Input Capacitance
C
iss
589
700
Output Capacitance
C
oss
103
325
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
V
DS
=
4 V, V
GS
= 0 V, f = 1 MHz
57
220
pF
V
DS
=
4 V, V
GS
=
8 V, I
D
=
5 A
9.5
11
Total Gate Charge
Q
g
5.7
6.5
Gate-Source Charge
Q
gs
1.3
1.3
Gate-Drain Charge
Q
gd
V
DS
=
4 V, V
GS
=
4.5 V, I
D
=
5 A
1.5
1.5
nC
Notes
a. Pulse test; pulse width
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2%.
b. Guaranteed by design, not subject to production testing.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI5945DU Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI5975DC Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI5975DC-T1 Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI5XX-EVB EVALUATION BOARD FOR Si53X XOS AND Si55X VCXOS
Si6423DQ P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SI5943DU-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 6.0A 8.3W 64mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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