參數(shù)資料
型號： Si4980DY-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual N-Channel 80-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙N溝道80 - V（下局副局長）MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 39K
代理商： SI4980DY-T1
Si4980DY
Vishay Siliconix
Document Number: 70646
S-03950—Rev. D, 26-May-03
www.vishay.com
2-3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
6
12
18
24
30
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
0
3
6
9
12
15
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.00
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
0
6
12
18
24
30
0
300
600
900
1200
0
10
20
30
40
50
60
0
6
12
18
24
30
0
1
2
3
4
5
6
7
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
-
I
V
GS
= 10 thru 6 V
5 V
4 V
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
T
C
= 125 C
-55 C
-
V
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 40 V
I
D
= 3.7 A
-
r
)
I
D
- Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
V
GS
= 10 V
I
D
= 3.7 A
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
-
r
)
V
GS
= 10 V
V
GS
= 6 V
25 C
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SI4982DY-E3 功能描述:MOSFET 100V 2.6A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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