參數(shù)資料
型號： Si4980DY-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual N-Channel 80-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙N溝道80 - V（下局副局長）MOSFET的
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 39K
代理商： SI4980DY-T1
Si4980DY
Vishay Siliconix
www.vishay.com
2-2
Document Number: 70646
S-03950—Rev. D, 26-May-03
SPECIFICATIONS (T
J
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Static
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
2
V
Gate-Body Leakage
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
20 V
100
nA
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
=
80
V, V
GS
= 0 V
1
A
V
DS
=
80
V, V
GS
= 0 V, T
J
= 55 C
20
On-State Drain Curren
a
I
D(on)
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
20
A
Drain Source On State Resistance
Drain-Source On-State Resistance
a
r
DS(on)
V
GS
= 10 V, I
D
= 3.7 A
0.062
0.075
V
GS
= 6.0 V, I
D
= 3.2 A
0.071
0.095
Forward Transconductance
a
g
fs
V
DS
= 15 V, I
D
= 3.7 A
12
S
Diode Forward Voltage
a
V
SD
I
S
= 1.7 A, V
GS
= 0 V
1.2
V
Dynamic
b
Total Gate Charge
Q
g
15
30
Gate-Source Charge
Q
gs
V
DS
= 40 V,
V
GS
= 10 V, I
D
= 3.7 A
4
nC
Gate-Drain Charge
Q
gd
3.2
Gate Resistance
R
g
1
5.1
Turn-On Delay Time
t
d(on)
10
20
Rise Time
t
r
V
= 40 V, R
= 40
1 A, V
GEN
= 10 V, R
G
= 6
10
20
Turn-Off Delay Time
t
d(off)
I
D
30
60
ns
Fall Time
t
f
10
20
Source-Drain Reverse Recovery Time
t
rr
I
F
= 1.7 A, di/dt = 100 A/ s
75
110
Notes
a.
b.
Pulse test; pulse width
300 s, duty cycle
2%.
For design aid only; not subject to production testing.
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PDF描述
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SI4982DY-E3 功能描述:MOSFET 100V 2.6A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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