參數(shù)資料
型號： Si4888DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Reduced Qg, Fast-Switching MOSFET
中文描述： N溝道低Qg，快速開關(guān)MOSFET
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 51K
代理商： SI4888DY
Si4888DY
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 71336
S-03662—Rev. D, 14-Apr-03
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
-0.0
0.2
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
- Temperature ( C)
10
-3
10
-2
1
10
600
10
-1
10
-4
100
0.001
0
1
100
40
60
10
0.01
Single Pulse Power
Time (sec)
20
80
P
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 68 C/W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
10
-3
10
-2
1
10
10
-1
10
-4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
0.1
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