參數(shù)資料
型號(hào)： Si4888DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Reduced Qg, Fast-Switching MOSFET
中文描述： N溝道低Qg，快速開(kāi)關(guān)MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大小： 51K
代理商： SI4888DY
Si4888DY
Vishay Siliconix
Document Number: 71336
S-03662—Rev. D, 14-Apr-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0.000
0.004
0.008
0.012
0.016
0.020
0
10
20
30
40
50
0
2
4
6
8
10
0
7
14
21
28
35
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
500
1000
1500
2000
2500
0
5
10
15
20
25
30
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 15 V
I
D
= 16 A
V
GS
= 10 V
I
D
= 16 A
V
GS
= 10 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
-
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
-
r
D
)
I
D
- Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
-
r
D
)
V
GS
= 4.5 V
1.0
1.2
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0
2
4
6
8
10
1
10
50
I
D
= 16 A
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-
r
D
)
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
S
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PDF描述
SI4890DY N-Channel Reduced Qg; Fast-Switching MOSFET
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SI4900DY N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
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參數(shù)描述
SI4888DY-E3 功能描述:MOSFET 30V 16A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4888DY-T1 功能描述:MOSFET 30V 16A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4888DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 16A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4888DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 16A 3.5W 7.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
Si4890BDY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 16A 5.7W 12mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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