參數(shù)資料
型號： SI4836DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 12-V (D-S) MOSFET
中文描述： N通道12V（D-S）MOSFET
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 48K
代理商： SI4836DY
Si4836DY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71692
S-03662—Rev. D, 14-Apr-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0.000
0.003
0.006
0.009
0.012
0.015
0
2
4
6
8
10
0.000
0.001
0.002
0.003
0.004
0.005
0.006
0
10
20
30
40
50
60
0
1
2
3
4
5
6
0
14
28
42
56
70
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
1600
3200
4800
6400
8000
0
2
4
6
8
10
12
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 6 V
I
D
= 25 A
V
GS
= 4.5 V
I
D
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 1.8 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
-
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
-
r
D
)
I
D
- Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
-
r
D
)
1.0
1.2
1
10
60
0.00
0.2
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
0.4
0.6
0.8
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
Source-Drain Diode Forward Voltage
-
I
S
I
D
= 25 A
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-
r
D
)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
V
GS
= 2.5 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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SI4836DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 25A 3.5W 3.0mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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