型號(hào): | SI4463BDY |
廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
英文描述: | P-Channel MOSFET, 2.5 V(G-S) , -20V(D-S) |
中文描述: | P溝道MOSFET的2.5伏(G-S),- 20V(D-S) |
文件頁數(shù): | 1/5頁 |
文件大小: | 69K |
代理商: | SI4463BDY |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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Si4463BDY-E3 | P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
Si4463BDY-T1-E3 | P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
SI4463DY | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
SI4464DY | N-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
SI4465DY | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SI4463BDY-E3 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
SI4463BDY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 13.7A 0.011Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI4463BDY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 13.7A 3.0W 11mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI4463-C2A-GM | 功能描述:IC RF TxRx + MCU General ISM < 1GHz 142MHz ~ 1.05GHz 20-VFQFN Exposed Pad 制造商:silicon labs 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 類型:TxRx + MCU 射頻系列/標(biāo)準(zhǔn):通用 ISM < 1GHz 協(xié)議:- 調(diào)制:4GFSK,GFSK,GMSK,OOK 頻率:142MHz ~ 1.05GHz 數(shù)據(jù)速率(最大值):1Mbps 功率 - 輸出:20dBm(最小值) 靈敏度:-129dBm 存儲(chǔ)容量:- 串行接口:SPI GPIO:4 電壓 - 電源:1.8 V ~ 3.6 V 電流 - 接收:10.9mA ~ 13.7mA 電流 - 傳輸:44.5mA ~ 88mA 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:20-VFQFN 裸露焊盤 標(biāo)準(zhǔn)包裝:490 |
SI4463-C2A-GMR | 功能描述:IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN 制造商:silicon labs 系列:* 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 封裝/外殼:20-VFQFN 裸露焊盤 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |