參數(shù)資料
型號： Si4463BDY-T1-E3
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
中文描述： P通道的2.5 V（GS）的MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 69K
代理商： SI4463BDY-T1-E3
Si4463BDY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72789
S-40433—Rev. A, 15-Mar-04
www.vishay.com
1
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.011 @ V
GS
=
10 V
13.7
20
0.014 @ V
GS
=
4.5 V
12.3
0.020 @ V
GS
=
2.5 V
10.3
S
D
S
D
S
D
G
D
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
S
G
D
P-Channel MOSFET
Ordering Information:
Si4463BDY—E3 (Lead Free)
Si4463BDY-T1—E3 (Lead Free with Tape and Reel)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
20
V
Gate-Source Voltage
V
GS
12
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
13.7
9.8
T
A
= 70 C
11.1
7.9
A
Pulsed Drain Current
I
DM
50
continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
2.7
1.36
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
3.0
1.5
W
T
A
= 70 C
1.9
0.95
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
10 sec
R
thJA
35
42
Steady State
70
84
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
17
21
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
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PDF描述
SI4463DY P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
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