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參數(shù)資料
| 型號： | SI4463DY |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 11500 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SO-8 |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 69K |
| 代理商： | SI4463DY |
Si4463BDY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72789
S-40433—Rev. A, 15-Mar-04
www.vishay.com
1
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.011 @ V
GS
=
10 V
13.7
20
0.014 @ V
GS
=
4.5 V
12.3
0.020 @ V
GS
=
2.5 V
10.3
S
D
S
D
S
D
G
D
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
S
G
D
P-Channel MOSFET
Ordering Information:
Si4463BDY—E3 (Lead Free)
Si4463BDY-T1—E3 (Lead Free with Tape and Reel)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
20
V
Gate-Source Voltage
V
GS
12
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
13.7
9.8
T
A
= 70 C
11.1
7.9
A
Pulsed Drain Current
I
DM
50
continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
2.7
1.36
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
3.0
1.5
W
T
A
= 70 C
1.9
0.95
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
10 sec
R
thJA
35
42
Steady State
70
84
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
17
21
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4464DY | N-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
| SI4465DY | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
| SI4473DY | P-Channel 14-V (D-S) MOSFET |
| Si4473DY-E3 | P-Channel 14-V (D-S) MOSFET |
| Si4473DY-T1 | P-Channel 14-V (D-S) MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI4463DY | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:DISCRETE SEMI MOSFET P CHANNEL -11.5 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P SO-8 |
| SI4463DY-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 10A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4463DY-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 10A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4463DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 10A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| Si4464-B0B-FM | 功能描述:射頻收發(fā)器 TRX ROM 64 EZRadioPRO RoHS:否 制造商:Atmel 頻率范圍:2322 MHz to 2527 MHz 最大數(shù)據(jù)速率:2000 Kbps 調(diào)制格式:OQPSK 輸出功率:4 dBm 類型: 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 最大工作溫度:+ 85 C 接口類型:SPI 封裝 / 箱體:QFN-32 封裝:Tray |
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