參數(shù)資料
型號(hào)： SI4464DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
中文描述： N溝道200 -五（副）MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 53K
代理商： SI4464DY
FEATURES
TrenchFET Power MOSFET
PWM Optimized for (Lowest Q
g
and Low R
G
)
APPLICATIONS
Primary Side Switch
Si4464DY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72051
S-22099—Rev. A, 02-Dec-02
www.vishay.com
1
N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.240 @ V
GS
= 10 V
0.260 @ V
GS
= 6.0 V
2.2
200
2.1
SO-8
S
D
S
D
S
D
G
D
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
D
G
S
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
200
Gate-Source Voltage
V
GS
20
V
T
A
= 25 C
2.2
1.7
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 70 C
I
D
1.7
1.3
Pulsed Drain Current
I
DM
8
A
Single Avalanch Current
I
AS
3
Single Avalanch Energy
L = 0.1 mH
E
AS
0.45
mJ
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
2.1
1.2
A
T
A
= 25 C
2.5
1.5
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 70 C
P
D
1.6
0.9
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
t
10 sec
37
50
Maximum Junction-to-Ambient
a
Steady State
R
thJA
68
85
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
17
21
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4465DY P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI4473DY P-Channel 14-V (D-S) MOSFET
Si4473DY-E3 P-Channel 14-V (D-S) MOSFET
Si4473DY-T1 P-Channel 14-V (D-S) MOSFET
Si4473DY-T1-E3 P-Channel 14-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI4464DY_05 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
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SI4465ADY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
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