型號(hào): | SI4453DY-T1 |
廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
英文描述: | P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
中文描述: | P溝道12 V的(副)MOSFET的 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/5頁(yè) |
文件大?。?/td> | 45K |
代理商: | SI4453DY-T1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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SI4453DY | P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
SI4463BDY | P-Channel MOSFET, 2.5 V(G-S) , -20V(D-S) |
Si4463BDY-E3 | P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
Si4463BDY-T1-E3 | P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
SI4463DY | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SI4453DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 12V 14A 3.0W 6.5mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI4453DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 14A 3.0W 6.5mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
Si4455-B1A-FM | 功能描述:射頻收發(fā)器 Si4455 EZRadio Transceiver RoHS:否 制造商:Atmel 頻率范圍:2322 MHz to 2527 MHz 最大數(shù)據(jù)速率:2000 Kbps 調(diào)制格式:OQPSK 輸出功率:4 dBm 類型: 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 最大工作溫度:+ 85 C 接口類型:SPI 封裝 / 箱體:QFN-32 封裝:Tray |
Si4455-B1A-FMR | 功能描述:射頻收發(fā)器 Si4455 EZRadio Transceiver RoHS:否 制造商:Atmel 頻率范圍:2322 MHz to 2527 MHz 最大數(shù)據(jù)速率:2000 Kbps 調(diào)制格式:OQPSK 輸出功率:4 dBm 類型: 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 最大工作溫度:+ 85 C 接口類型:SPI 封裝 / 箱體:QFN-32 封裝:Tray |
SI4455-B1A-GM | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:SI4455 EZRADIO TRANSCEIVER - Bulk |