參數(shù)資料
型號： SI3905DV
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual P-Channel 8-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道8 - V（下局副局長）MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 77K
代理商： SI3905DV
Si3905DV
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 70973
S-61840—Rev. A, 13-Sep-99
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-1
Dual P-Channel 8-V (D-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.125 @ V
GS
= –4.5 V
2.5
–8
0.175 @ V
GS
= –2.5 V
2.0
0.265 @ V
GS
= –1.8 V
1.7
TSOP-6
Top View
6
4
1
2
3
5
2.85 mm
3 mm
D2
G2
S1
S2
D1
G1
S
1
G
1
D
1
P-Channel MOSFET
S
2
G
2
D
2
P-Channel MOSFET
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
–8
V
Gate-Source Voltage
V
GS
8
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a, b
T
A
= 25 C
I
D
2.5
A
T
A
= 70 C
2.0
Pulsed Drain Current
I
DM
7
Continuous Diode Current (Diode Conduction)
a, b
I
S
–1.05
Maximum Power Dissipation
a, b
T
A
= 25 C
P
D
1.15
W
T
A
= 70 C
0.73
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
MaximumJunction-to-Ambient
Maximum Junction-to-Ambient
a
t
5 sec
R
thJA
93
110
C/W
Steady State
130
150
Maximum Junction-to-Lead
Steady State
R
thJL
75
90
Notes
a.
b.
Surface Mounted on FR4 Board.
t
5 sec
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PDF描述
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