型號: | SI3552DV |
廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
元件分類: | MOSFETs |
英文描述: | N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
中文描述: | N和P溝道30V的(D-S)MOSFET |
文件頁數(shù): | 1/7頁 |
文件大?。?/td> | 82K |
代理商: | SI3552DV |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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SI-3552 | Miniature 5x20mm Glass fuse; low breaking capacity; Time-lag; Voltage Rating: 250V; Current Rating: 2A; Characteristic: Time Lag |
SI3588DV | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold |
SI3831DV | Bi-Directional P-Channel MOSFET/Power Switch |
SI3850DV | Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) |
SI3851DV | Single P-Channel MOSFET with integrated Schottky; |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SI3552DV_05 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
SI3552DV_09 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
SI3552DV-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 2.5/1.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI3552DV-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 2.5/1.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI3552DV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 2.5/1.8A 1.15W 105/200mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |