參數(shù)資料
型號(hào)： SI3434DV
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 38K
代理商： SI3434DV
TrenchFET Power MOSFET
2.5-V Rating for 30-V N-Channel
Low r
DS(on)
for Footprint Area
Li-lon Battery Protection
Si3434DV
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71610
S-03617—Rev. A, 17-Apr-01
www.vishay.com
1
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.034 @ V
GS
= 4.5 V
0.050 @ V
GS
= 2.5 V
6.1
30
5.0
(1, 2, 5, 6) D
(3) G
(4) S
N-Channel MOSFET
TSOP-6
Top View
6
4
1
2
3
5
2.85 mm
3 mm
Parameter
Symbol
5 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
30
Gate-Source Voltage
V
GS
12
V
T
A
= 25 C
6.1
4.6
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 70 C
I
D
4.9
3.6
Pulsed Drain Current
I
DM
30
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
1.7
1.0
T
A
= 25 C
2.0
1.14
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 70 C
P
D
1.3
0.73
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
t
5 sec
40
62.5
Maximum Junction-to-Ambient
a
Steady State
R
thJA
90
110
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
25
30
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI3435DV RELAY SSR SPST 120MA 6-SMT
SI3440DV-T1-E3 N-Channel 150-V (D-S) MOSFET
SI3440DV N-Channel 150-V (D-S) MOSFET
SI3441BDV P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI3441 P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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SI3434DV-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 6.1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3434DV-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N CHANNEL MOSFET 30V 4.6A 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 30V, 4.6A
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SI3435DV 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
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