參數(shù)資料
型號(hào)： SI3435DV
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： RELAY SSR SPST 120MA 6-SMT
中文描述： P溝道12 V的（副）MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 44K
代理商： SI3435DV
Si3435DV
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71318
S-03371—Rev. B, 03-Mar-03
www.vishay.com
1
P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.036 @ V
GS
= -4.5 V
-6.3
-12
0.050 @ V
GS
= -2.5 V
-5.3
0.073 @ V
GS
= -1.8 V
-4.4
(4) S
(3) G
(1, 2, 5, 6) D
P-Channel MOSFET
TSOP-6
Top View
6
4
1
2
3
5
2.85 mm
3 mm
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
5 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
-12
V
Gate-Source Voltage
V
GS
8
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
-6.3
-4.8
T
A
= 85 C
-4.6
-3.4
A
Pulsed Drain Current
I
DM
-20
Continuous Diode Current (Diode Conduction)
a
I
S
-1.7
-0.9
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
2.0
1.1
W
T
A
= 85 C
1.0
0.6
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
5 sec
R
thJA
45
62.5
Steady State
90
110
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
25
30
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI3440DV-T1-E3 N-Channel 150-V (D-S) MOSFET
SI3440DV N-Channel 150-V (D-S) MOSFET
SI3441BDV P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI3441 P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
SI3441DV RELAY SSR SPST 350V 120MA 6-SOP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI3435DV-T1 功能描述:MOSFET 12V 4.8A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3435DV-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 4.8A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3435DV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 6.3A 2.0W 36mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3437DV 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 150-V (D-S) MOSFET
SI3437DV-T1-E3 功能描述:MOSFET 150V 1.4A 3.2W 750 mohms @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*