參數(shù)資料
型號(hào)： SI3430DV
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類(lèi)： MOSFETs
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大小： 64K
代理商： SI3430DV
FEATURES
High-Efficiency PWM Optimized
100% R
g
Tested
Si3430DV
Vishay Siliconix
Document Number: 71235
S-31725—Rev. B, 18-Aug-03
www.vishay.com
1
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
100
0.170 @ V
GS
= 10 V
0.185 @ V
GS
= 6.0 V
2.4
2.3
(1, 2, 5, 6) D
(3) G
(4) S
N-Channel MOSFET
TSOP-6
Top View
6
4
1
2
3
5
2.85 mm
3 mm
Ordering Information: Si3430DV-T1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
5 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
100
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 175 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
2.4
1.8
T
A
= 85 C
1.7
1.3
A
Pulsed Drain Current
I
DM
8
Avalanche Current
L = 0 1 mH
L = 0.1 mH
I
AR
6
Repetitive Avalanche Energy (Duty Cycle
1%)
E
AR
1.8
mJ
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
1.7
1.0
A
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
2.0
1.14
W
T
A
= 85 C
1.0
0.59
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
5 sec
R
thJA
45
62.5
Steady State
90
110
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
25
30
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI3430DV-T1 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
SI3433 P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI3433DV P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
Si3433BDV RELAY SSR SPST 120MA 4-SMT
SI3434DV Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI3430DV_08 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
SI3430DV-T1 功能描述:MOSFET 100V 8A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3430DV-T1-E3 功能描述:MOSFET 100V 8A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3430DV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 100V 2.4A 2.0W 170mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3430DY 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
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