參數(shù)資料
型號： SI3430DV-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 64K
代理商： SI3430DV-T1
FEATURES
High-Efficiency PWM Optimized
100% R
g
Tested
Si3430DV
Vishay Siliconix
Document Number: 71235
S-31725—Rev. B, 18-Aug-03
www.vishay.com
1
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
100
0.170 @ V
GS
= 10 V
0.185 @ V
GS
= 6.0 V
2.4
2.3
(1, 2, 5, 6) D
(3) G
(4) S
N-Channel MOSFET
TSOP-6
Top View
6
4
1
2
3
5
2.85 mm
3 mm
Ordering Information: Si3430DV-T1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
5 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
100
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 175 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
2.4
1.8
T
A
= 85 C
1.7
1.3
A
Pulsed Drain Current
I
DM
8
Avalanche Current
L = 0 1 mH
L = 0.1 mH
I
AR
6
Repetitive Avalanche Energy (Duty Cycle
1%)
E
AR
1.8
mJ
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
1.7
1.0
A
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
2.0
1.14
W
T
A
= 85 C
1.0
0.59
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
5 sec
R
thJA
45
62.5
Steady State
90
110
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
25
30
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關PDF資料
PDF描述
SI3433 P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI3433DV P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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SI3430DY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
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