Table 3. DC Characteristics, VD =3.3 V
參數(shù)資料
型號： SI3056DC1-EVB
廠商： Silicon Laboratories Inc
文件頁數(shù)： 67/94頁
文件大?。?/td> 0K
描述： DAUGHTERCARD DAA SI3056/SI3019
標準包裝： 1
主要目的： 電信，數(shù)據(jù)采集裝置（DAA）
已用 IC / 零件： Si3056
已供物品： 板，CD
Si3056
Si3018/19/10
Rev. 1.05
7
Table 3. DC Characteristics, VD =3.3 V
(VD = 3.0 to 3.6 V, TA = 0 to 70 °C)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
High Level Input Voltage
VIH
2.4
—
V
Low Level Input Voltage
VIL
——
0.8
V
High Level Output Voltage
VOH
IO =–2 mA
2.4
—
V
Low Level Output Voltage
VOL
IO = 2 mA
—
0.35
V
Input Leakage Current
IL
–10
—
10
A
Power Supply Current, Digital1
ID
VD pin
—
15
—
mA
Total Supply Current, Sleep Mode1
ID
PDN = 1, PDL = 0
—
9
—
mA
Total Supply Current, Deep Sleep1,2
ID
PDN = 1, PDL = 1
—
1
—
mA
Notes:
1. All inputs at 0.4 or VD – 0.4 (CMOS levels). All inputs are held static except clock and all outputs unloaded
(Static IOUT = 0mA).
2. RGDT is not functional in this state.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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