參數(shù)資料
型號： SI1403DL
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
中文描述： P通道的2.5 V（GS）的MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 68K
代理商： SI1403DL
Si1403DL
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71072
S-01559—Rev. B, 17-Jul-00
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-1
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.180 @ V
GS
= –4.5 V
1.5
–20
0.200 @ V
GS
= –3.6 V
1.4
0.265 @ V
GS
= –2.5 V
1.2
SOT-363
SC-70 (6-LEADS)
6
4
1
2
3
5
Top View
D
D
G
D
D
S
Marking Code
OA
XX
Lot Traceability
and Date Code
Part # Code
Y
Parameter
Symbol
5 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
–20
V
Gate-Source Voltage
V
GS
12
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
1.5
1.4
A
T
A
= 85 C
1.2
1.0
Pulsed Drain Current
I
DM
5
Continuous Diode Current (Diode Conduction)
a
I
S
–0.8
–0.8
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
0.625
0.568
W
T
A
= 85 C
0.400
0.295
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
MaximumJunction-to-Ambient
Maximum Junction-to-Ambient
a
t
5 sec
R
thJA
165
200
C/W
Steady State
180
220
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
105
130
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI1405DL P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI1406DH N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1413DH Desiccant Packs; Features:Print: blue ink; Unit size: 1; Media: montmorillonte clay; Form: free flowing even when fully satuated; Pkging: Air tight pails or drums; Pack Quantity:300 RoHS Compliant: NA
SI1413EDH P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
SI1433DH P-Channel 30-V (D-S) MOSFET to switch white LED's;
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參數(shù)描述
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SI1403DL-T1 功能描述:MOSFET 20V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI1403DL-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI1404BDH-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 1.9A 2.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI1404BDH-T1-GE3 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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