參數(shù)資料
型號(hào)： SI1433DH
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 30-V (D-S) MOSFET to switch white LED's;
中文描述： P通道30V（D-S）MOSFET用于開關(guān)白光LED
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 43K
代理商： SI1433DH
FEATURES
TrenchFET Power MOSFETS: 1.8-V Rated
Thermally Enhanced SC-70 Package
APPLICATIONS
Load Switches
-
Notebook PCs
-
Servers
Si1433DH
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72323
S-31668—Rev. A, 11-Aug-03
www.vishay.com
1
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
-30
0.150 @ V
GS
= -10 V
-2.2
0.260 @ V
GS
= -4.5 V
-1.6
SOT-363
SC-70 (6-LEADS)
6
4
1
2
3
5
Top View
D
D
G
D
D
S
Marking Code
BE
XX
Lot Traceability
and Date Code
Part # Code
Y
Ordering Information: Si1433DH-T1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
5 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
-30
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
-2.2
-1.9
T
A
= 85 C
-1.7
-1.4
A
Pulsed Drain Current
I
DM
-8
Continuous Diode Current (Diode Conduction)
a
I
S
-1.4
-0.9
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
1.45
0.95
W
T
A
= 85 C
0.75
0.5
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
5 sec
R
thJA
65
85
Steady State
105
130
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
38
48
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI1433DH-T1 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI1501DL Complementary 20-V (D-S) Low-Threshold MOSFET
SI1539DL Complementary 30-V (D-S) MOSFET
SI1551DL Complementary 20-V (D-S) MOSFET
SI1563DH Complementary 20-V (D-S) Low-Threshold MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI1433DH_08 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI1433DH-T1 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI1433DH-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 2.2A 1.45W 150 mohms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI1433DH-T1-GE3 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SI1441EDH 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*