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參數(shù)資料
| 型號： | SI1031R |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold |
| 中文描述： | P通道20 - V（下局副局長）MOSFET的低閾值 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | SI1031R |
Si1031R/X
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71171
S-31507—Rev. B, 14-Jul-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C UNLESS NOTED)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-
r
D
)
0
20
40
60
80
100
120
0
4
8
12
16
20
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
0
1
2
3
4
5
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
5
10
15
20
25
0
200
400
600
800
1000
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 10 V
I
D
= 150 mA
I
D
- Drain Current (mA)
V
GS
= 4.5 V
I
D
V
GS
= 1.8 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
-
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
-
r
D
)
0
10
20
30
40
50
0
1
2
3
4
5
6
I
D
= 150 mA
1000
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-
r
D
)
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 125 mA
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 1.8 V
I
D
= 125 mA
T
J
= 125 C
T
J
= 25 C
T
J
= -55 C
10
100
I
S
V
= 0 V
f = 1 MHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Si1031X | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold |
| SI1032R | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI1032R-T1 | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI1032X-T1 | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI1034X | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI1031R | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P SC-75A |
| SI1031R_08 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI1031R-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI1031R-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI1031R-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 150mA 280mW 8.0ohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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