參數(shù)資料
型號(hào)： SI1013R
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
中文描述： P通道的1.8 V（GS）的MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 44K
代理商： SI1013R
Si1013R/X
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71167
S-02464
—
Rev. A, 25-Oct-00
www.vishay.com
3
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200
400
600
800
1000
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 10 V
I
D
= 250 mA
I
D
–
Drain Current (mA)
V
GS
= 4.5 V
I
D
V
GS
= 1.8 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
–
Q
g
–
Total Gate Charge (nC)
C
–
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
–
Junction Temperature ( C)
(
–
r
D
)
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
6
I
D
= 350 mA
1000
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
–
r
D
)
V
SD
–
Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
–
Gate-to-Source Voltage (V)
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 200 mA
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 1.8 V
I
D
T
J
= 125 C
T
J
= 25 C
T
J
=
–
55 C
10
100
I
S
–
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI1013X P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI1016X P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
SI1022R N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI1023X Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1024X Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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