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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Si1012R |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET(工作電壓1.8V的N溝道增強(qiáng)型MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道的1.8 V（GS）的MOSFET的（工作電壓1.8伏的N溝道增強(qiáng)型MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 42K |
| 代理商： | SI1012R |
Si1012R/X
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 71166
S-02464
—
Rev. A, 25-Oct-00
–
0.3
–
0.2
–
0.1
–
0.0
0.1
0.2
0.3
–
50
–
25
0
25
50
75
100
125
I
D
= 0.25 mA
Threshold Voltage Variance vs. Temperature
V
V
G
T
J
–
Temperature ( C)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
–
50
–
25
0
25
50
75
100
125
I
GSS
vs. Temperature
T
J
–
Temperature ( C)
I
G
–
0
1
2
3
4
5
6
7
–
50
–
25
0
25
50
75
100
125
BV
GSS
vs. Temperature
T
J
–
Temperature ( C)
10
–
3
10
–
2
1
10
600
10
–
1
10
–
4
100
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient (SC-75A)
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 833 C/W
3. T
JM
–
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
B
G
–
V
GS
= 4.5 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| Si1013R | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET(工作電壓1.8V的P溝道增強(qiáng)型MOSFET) |
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參數(shù)描述 |
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