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參數資料
| 型號： | Si1012R |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET(工作電壓1.8V的N溝道增強型MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道的1.8 V（GS）的MOSFET的（工作電壓1.8伏的N溝道增強型MOSFET的） |
| 文件頁數： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | SI1012R |
Si1012R/X
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71166
S-02464
—
Rev. A, 25-Oct-00
www.vishay.com
3
0.0
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0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
–
r
D
)
0
20
40
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80
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25
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0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
0
200
400
600
800
1000
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 10 V
I
D
= 250 mA
I
D
–
Drain Current (mA)
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 350 mA
V
GS
= 1.8 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
–
Q
g
–
Total Gate Charge (nC)
C
–
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
–
Junction Temperature ( C)
(
–
r
D
)
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
6
I
D
= 350 mA
1000
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
–
r
D
)
V
SD
–
Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
–
Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
S
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 200 mA
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 1.8 V
I
D
T
J
= 125 C
T
J
= 25 C
T
J
=
–
55 C
10
100
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PDF描述 |
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