參數(shù)資料
型號(hào)： SA600D
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 衰減器
英文描述： 1GHz LNA and mixer
中文描述： 800 MHz - 1200 MHz RF/MICROWAVE DOUBLE BALANCED MIXER
文件頁(yè)數(shù)： 8/17頁(yè)
文件大?。?/td> 283K
代理商： SA600D
Philips Semiconductors
Product specification
NE/SA600
1GHz LNA and mixer
1993 Dec 15
54
MIXER GAIN/NOISE CHARACTERISTICS
4.5V
≤
V
CC
= V
CCMX
≤
5.5V, Test Figure 1, unless otherwise specified.
Mixer Voltage Conversion Gain vs LO Power
12
V
Frf = 900MHz
Flo = 1GHz
Fif = 100MHz
Scaled to R
L1
= R
L2
= 1k
–10
LO POWER (dBm)
10
8
6
4
2
0
–8
–6
–4
–2
0
2
4
6
Mixer Voltage Conversion Gain vs IF Frequency
12
V
Frf = 900MHz
Flo > Frf
Plo = 0dBm
Scaled to R
L1
= R
L2
= 1k
0
IF FREQUENCY (MHz)
10
8
6
4
2
0
50
100
150
200
250
300
Mixer Voltage Conversion Gain vs Temperature
12
V
Frf = 900MHz
Flo = 1GHz
Fif = 100MHz
Plo = 0dBm
Scaled to R
L1
= R
L2
= 1k
–40
10
8
6
4
2
0
–20
0
20
40
60
80
100
TEMPERATURE (
°
C)
Mixer 50
Noise Figure vs LO Power
24
N
–12
Frf = 881MHz
Plo = 981MHz
Fif = 100MHz
LO POWER (dBm)
22
20
18
16
14
12
10
8
6
–10
–8
–6
–4
–2
0
2
4
6
24
Frf = 881MHz
Flo > Frf
Plo = 0dBm
IF Tuned to 81MHz
50
IF FREQUENCY (MHz)
Mixer Noise Figure vs IF Frequency
22
20
18
16
14
12
10
8
6
60
70
80
90
100
110
120
N
Mixer Noise Figure vs Temperature
Frf = 881MHz
Flo = 981MHz
Fif = 100MHz
Plo = 0dBm
–40
–20
0
20
40
60
80
100
TEMPERATURE (
°
C)
24
N
22
20
18
16
14
12
10
8
6
TEST FIGURE 3
TEST FIGURE 3
TEST FIGURE 3
SR00088
Figure 7. Mixer Gain/Noise Performance Characteristics
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SA601DK,112 功能描述:射頻混合器 1GHZ LV LNA & MIXER RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 頻率范圍: 轉(zhuǎn)換損失——最大: 工作電源電壓:6 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:PDIP-8 封裝:Tube
SA601DK,118 功能描述:射頻混合器 1GHZ LV LNA & MIXER RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 頻率范圍: 轉(zhuǎn)換損失——最大: 工作電源電壓:6 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:PDIP-8 封裝:Tube
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