參數(shù)資料
型號(hào)： SA5209N
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 衰減器
英文描述： Wideband variable gain amplifier
中文描述： 0 MHz - 850 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
文件頁數(shù)： 9/17頁
文件大?。?/td> 202K
代理商： SA5209N
Philips Semiconductors
Product specification
SA5209
Wideband variable gain amplifier
1997 Nov 07
9
S
10
0
0.6
V
AGC
(V)
1
0.8
0.4
0.2
V
CC
= 5.5V
V
CC
= 5.0V
V
CC
= 4.5V
2
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1.2
T = 25
°
C
R
S
= R
L
= 50
R
=
∞
f = 10MHz
DC Tested
See test-setup 1
SR00251
Figure 15. Gain vs V
AGC
and V
CC
R
S
= R
L
= 50
R
t
=
∞
See test-setup 1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
AGC
(V)
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
1.2
-55
°
C
+25
°
C
+125
°
C
S
2
SR00253
Figure 16. Insertion Gain vs V
AGC
and Temperature
20
D
Temperature (
°
C)
–100
50
150
100
0
–50
5.5V
5.0V
4.5V
19.5
19
18.5
18
17.5
17
16.5
16
15.5
15
R
S
= 0
R
L
=
∞
R
t
=
∞
V
AGC
= 1.1V
See Test Setup 1
SR00252
Figure 17. Voltage Gain vs Temperature and V
CC
S
–100
–50
0
50
100
55
50
45
40
35
30
25
20
150
V
CC
= 7.0V
See test-setup 1
Temperature
(
°
C)
V
CC
= 6.0V
V
CC
= 5.0V
V
CC
= 4.5V
SR00254
Figure 18. Supply Current vs Temperature and V
CC
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