參數(shù)資料
型號： SA5209N
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 衰減器
英文描述： Wideband variable gain amplifier
中文描述： 0 MHz - 850 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
文件頁數(shù)： 11/17頁
文件大小： 202K
代理商： SA5209N
Philips Semiconductors
Product specification
SA5209
Wideband variable gain amplifier
1997 Nov 07
11
20
10
1500
100
Frequency (MHz)
S
1.1V
0.8V
0.4V
200mV
100mV
50mV
25mV
2
10
0
–10
–20
–30
1000
T = 25
°
C
R
S
= R
L
=
50
R
= 50
See Test
Setup 1
SR00259
Figure 23. Insertion Gain vs Frequency and V
AGC
15
10
100
1500
1000
Frequency
(MHz)
10
5
0
–5
5.5V
4.5V
S
2
T = 25
°
C
V
AGC
= 1.1V
R
S
= R
L
= 50
R
= 50
See Test Setup 1
SR00261
Figure 24. Insertion Gain vs Frequency and V
CC
16
–100
50
150
100
Temperature
(
°
C
)
S
2
14
12
10
8
6
4
2
0
0
–50
T = 25
°
C
V
AGC
= 1.1V
R
= 50
f = 10MHz
See Test Setup 1
V
CC
= 7.0V
V
CC
= 6.0V
V
CC
= 5.0V
V
CC
= 4.5V
SR00260
Figure 25. Insertion Gain vs Temperature and V
CC
0
10
100
1500
1000
Frequency
(MHz)
S
2
–5
–10
–15
–20
–25
25
°
C
-55
°
C
125
°
C
R
S
= R
L
= 50
R
= 50
See Test Setup 1
SR00262
Figure 26. Output Return Loss vs Frequency
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