參數(shù)資料
型號(hào)： SA5209N
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 衰減器
英文描述： Wideband variable gain amplifier
中文描述： 0 MHz - 850 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
文件頁(yè)數(shù)： 13/17頁(yè)
文件大?。?/td> 202K
代理商： SA5209N
Philips Semiconductors
Product specification
SA5209
Wideband variable gain amplifier
1997 Nov 07
13
N
10
100
1000
16
T = 25
°
C
V
AGC
= 1.1V
R
S
= R
L
= 50
R
=
∞
on INA
See test-setup 1
Frequency (MHz)
0
Termination
on INB
50
Termination
on INB
14
12
10
8
6
4
2
0
SR00267
Figure 31. Noise Figure vs Frequency
1.4
–100
50
150
100
Temperature
(
°
C)
B
0
–50
1.35
1.3
1.25
1.2
1.15
1.1
1.05
1
Bandgap Load = 2k
V
CC
= 7.0V
V
CC
= 6.0V
V
CC
= 5.0V
V
CC
= 4.5V
SR00269
Figure 32. Bandgap Voltage vs Temperature and V
CC
S
12
10
8
6
4
2
0
–60
–10
90
140
Temper40
°
C)
2
R
S
= R
L
= 50
R
t
= 50
R
= R
= 10k
f = 100MHz
See Figure 10
SR00268
Figure 33. Fixed Gain vs Temperature
TOP VIEW - COMPONENT SIDE
OUT
B
OUT
A
GND
+V
CC
IN
B
IN
A
G
A
V
NE5209
TOP VIEW - SOLDER SIDE
SR00270
Figure 34. VGA AC Evaluation Board Layout
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