參數(shù)資料
型號： S75NS128NDEZFWNK0
廠商： SPANSION LLC
元件分類： 存儲器
英文描述： 1.8 Volt-only, Stacked Multi-Chip Product (MCP) x16 MirrorBit Flash Memory and DRAM
中文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA133
封裝： 11 X 10 MM, 1.02 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-133
文件頁數(shù)： 7/211頁
文件大小： 2858K
代理商： S75NS128NDEZFWNK0
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September 23, 2005 S75NS128NDE_00_A2
S75NS128NDE based MCPs
5
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
Write Buffer Programming Command Sequence ....................................173
$8<.>#<DH
,D@.> 1 <DA
Chip Erase Command Sequence ..................................................................176
Chip Erase Command Sequence ..............................................................176
Sector Erase Command Sequence ...............................................................176
Sector Erase Command Sequence ..........................................................176
Accelerated Sector Erase ...........................................................................177
,D=-1<DD
Erase Suspend/Erase Resume Commands .................................................177
Program Suspend/Program Resume Commands ....................................178
Lock Register Command Set Definitions ..................................................178
Volatile Sector Protection Command Set .................................................179
$8@<9:
Write Operation Status . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 183
DQ7: Data# Polling ..........................................................................................183
,DHJ
DQ6: Toggle Bit I ..............................................................................................185
DQ2: Toggle Bit II .............................................................................................185
,DA>
$8=383@<9D
Reading Toggle Bits DQ6/DQ2 ....................................................................187
DQ5: Exceeded Timing Limits ......................................................................187
DQ3: Sector Erase Start Timeout State Indicator ..................................188
DQ1: Write to Buffer Abort ..........................................................................188
$8H.1<9G
Absolute Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . 190
,D84)/1. <G:
,DD4) 1.<G:
Operating Ranges . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 191
DC Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 192
CMOS Compatible ...........................................................................................192
<9H
<98
Test Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 193
,D9<G=
$8A <G=
Key to Switching Waveforms . . . . . . . . . . . . . . . 193
Switching Waveforms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 193
$88.4 <G=
AC Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 194
V
CC
Power-up ....................................................................................................194
,DG0
"E% <GH
,9:E%<GH
Synchronous/Burst Read .................................................................................195
,9<>4; <G8
Asynchronous Read ..........................................................................................197
,9@4;
,9=; <G9
Erase/Program Operations .............................................................................199
,9H 1 @::
,9AI-1 @:<
,98K> @:@
,9DJ
*-$+ @:=
,99>*-$+ @:=
,9G9"!<8"!=@".>
. @:H
,G:> @:H
,G<>"">;I. @:A
Erase and Programming Performance . . . . . . . 206
Device History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .207
S99KS-N Revision Summary . . . . . . . . . . . . . . . 208
MCP Revision Summary
<GD
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PDF描述
S75NS128ND0ZFWNJ0 1.8 Volt-only, Stacked Multi-Chip Product (MCP) x16 MirrorBit Flash Memory and DRAM
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