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參數(shù)資料
| 型號： | S75NS128NDEZFWNK0 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | 1.8 Volt-only, Stacked Multi-Chip Product (MCP) x16 MirrorBit Flash Memory and DRAM |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA133 |
| 封裝： | 11 X 10 MM, 1.02 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-133 |
| 文件頁數(shù)： | 206/211頁 |
| 文件大?。?/td> | 2858K |
| 代理商： | S75NS128NDEZFWNK0 |
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204
S75NS128NDE based MCPs
S75NS128NDE_00 A2 September 23, 2005
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
AC Characteristics
'6%-65''6
"&6%-
%-%%
Figure 89. 8-, 16-, and 32-Word Linear Burst
Address Wrap Around
3%0"
,-%,-%55!O%
--A%35&"5&
Figure 90. Latency with Boundary Crossing
CLK
Address (hex)
D0
D1
D2
A/DQ15
–
A/DQ0
OE#
Address wraps back to beginning of address group.
39
39
3A
3B
3C
3D
3E
3F
38
Initial Access
V
IL
V
IH
AVD#
V
IL
V
IH
D3
D4
D5
D6
D7
(stays low)
CE#
V
IL
(stays low)
CLK
Address (hex)
C124
C125
C126
C127
C127
C128
C129
C130
C131
D124
D125
D126
D127
D128
D129
D130
(stays high)
AVD#
RDY(1)
Data
OE#,
CE#
(stays low)
Address boundary occurs every 128 words, beginning at address
00007Fh: (0000FFh, 00017Fh, etc.) Address 000000h is also a boundary crossing.
7C
7D
7E
7F
7F
80
81
82
83
latency
RDY(2)
latency
t
RACC
t
RACC
t
RACC
t
RACC
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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