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參數(shù)資料
| 型號： | S29NS-N |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Simultaneous Read/Write, Multiplexed, Burst Mode Flash Memory |
| 中文描述： | 同步讀/寫，復(fù)用，突發(fā)模式閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 71/86頁 |
| 文件大?。?/td> | 1036K |
| 代理商： | S29NS-N |
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S29NS-N_00_A12 June 13, 2006
S29NS-N MirrorBit Flash Family
69
D a t a
S h e e t
( A d v a n c e
I n f o r m a t i o n )
19.5
Erase/Program Operations
Notes
1. Not 100% tested.
2. See the
Erase and Programming Performance
section for more information.
3. Does not include the preprogramming time.
Parameter
Description
(80 MHz)
(66 MHz)
Unit
JEDEC
Standard
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time
(Note 1)
Min
45
45
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
4
4
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min
6
6
ns
t
AVDP
AVD# Low Time
Min
8
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min
20
25
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recovery Time Before Write
Typ
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE# Setup Time to WE#
Typ
8
8
ns
t
WHEH
t
CH
CE# Hold Time
Typ
0
ns
t
WLWH
t
WP
/t
WRL
Write Pulse Width
Typ
30
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Typ
20
ns
t
SR/W
Latency Between Read and Write Operations
Min
0
ns
t
ACC
ACC Rise and Fall Time
Min
500
ns
t
VPS
ACC Setup Time (During Accelerated Programming)
Min
1
μs
t
VCS
V
CC
Setup Time
Min
50
μs
t
SEA
Sector Erase Accept Time-out
Max
50
μs
t
ESL
Erase Suspend Latency
Max
35
μs
t
PSL
Program Suspend Latency
Max
35
μs
t
ERS
Erase Resume to Erase Suspend
Min
30
μs
t
PRS
Program Resume to Program Suspend
Min
30
μs
t
PSP
Toggle Time During Programming Within a Protected Sector
Typ
1
μs
t
ASP
Toggle Time During Sector Protection
Typ
100
μs
t
WEP
Noise Pulse Margin on WE#
Max
3
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| S29PL032J55BFI120 | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 32MBIT 2MX16 55NS 48FBGA - Trays |
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