參數(shù)資料
型號(hào)： RN2009
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
中文描述： 開(kāi)關(guān)，逆變電路，接口電路及驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 170K
代理商： RN2009
RN2007 RN2009
2001-06-07
1
Type No.
R1 (k
)
R2 (k
)
RN2007
10
47
RN2008
22
47
RN2009
47
22
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
RN2007,RN2008,RN2009
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
And Driver Circuit Applications
With built-in bias resistors
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Complementary to RN1007~RN1009
Equivalent Circuit and Bias Resister Values
Maximum Ratings
(Ta = 25 C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
50
V
Collector-emitter voltage
V
CEO
50
V
RN2007
6
RN2008
7
Emitter-base voltage
RN2009
V
EBO
15
V
Collector current
I
C
100
mA
Collector power dissipation
P
C
400
mW
Junction temperature
T
j
150
C
Storage temperature range
T
stg
55~150
C
Unit: mm
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
Weight: 0.21g
TO-92
SC-43
2-5F1B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RN2108 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
RN2109 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
RN2112FT IGBT Modules up to 600V Dual; Package: PG-LQFP-64; Max Clock Frequency: 40.0 MHz; SRAM (incl. Cache): 8.0 KByte; CAN Nodes: 2; A / D input lines (incl. FADC): 14; Program Memory: 128.0 KByte;
RN2113FT TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)
RN2112 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
RN2009(F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin TO-92
RN200CHOKEKIT 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:CHOKE KIT RN 200
RN2010 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
RN2010(F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
RN2011 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
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