參數(shù)資料
型號(hào)： RN1008
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
中文描述： 開關(guān)，逆變電路，接口電路及驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 169K
代理商： RN1008
RN1007 RN1009
2001-06-07
1
Type No.
R1 (k
)
R2 (k
)
RN1007
10
47
RN1008
22
47
RN1009
47
22
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1007,RN1008,RN1009
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
And Driver Circuit Applications
With built-in bias resistors
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Complementary to RN2007
~
RN2009
Equivalent Circuit And Bias Resister Values
Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
50
V
Collector-emitter voltage
V
CEO
50
V
RN1007
6
RN1008
7
Emitter-base voltage
RN1009
V
EBO
15
V
Collector current
I
C
100
mA
Collector power dissipation
P
C
400
mW
Junction temperature
T
j
150
°C
Storage temperature range
T
stg
55~150
°C
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
Weight: 0.21g
TO-92
SC-43
2-5F1B
Unit: mm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RN1009 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
RN1010 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1011 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1101 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
RN1103 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
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參數(shù)描述
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RN100M1E-0511 制造商:Surge Components Inc 功能描述:
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