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參數(shù)資料
| 型號： | R80C32-12:RD |
| 廠商： | ATMEL CORP |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, 12 MHz, MICROCONTROLLER, CQCC44 |
| 封裝： | LCC-44 |
| 文件頁數(shù)： | 117/302頁 |
| 文件大?。?/td> | 8270K |
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203
8008H–AVR–04/11
ATtiny48/88
Table 21-9). In a chip erased device, no 0xFFs in the data file(s) need to be
programmed.
– B: The EEPROM array is programmed one page at a time. The Memory page is
loaded one byte at a time by supplying the 6 LSB of the address and data together
with the Load EEPROM Memory Page instruction. The EEPROM Memory Page is
stored by loading the Write EEPROM Memory Page Instruction with the 7 MSB of
the address. When using EEPROM page access only byte locations loaded with the
Load EEPROM Memory Page instruction is altered. The remaining locations remain
unchanged. If polling (RDY/BSY) is not used, the used must wait at least t
WD_EEPROM
before issuing the next byte (See Table 21-9). In a chip erased device, no 0xFF in
the data file(s) need to be programmed.
6.
Any memory location can be verified by using the Read instruction which returns the
content at the selected address at serial output MISO.
7.
At the end of the programming session, RESET can be set high to commence normal
operation.
8.
Power-off sequence (if needed): Set RESET to “1”. Turn V
CC power off.
21.3.3
Programming Instruction set
Table 21-8 on page 203 and Figure 21-8 on page 204 describes the Instruction set.
Table 21-8.
Serial Programming Instruction Set (Hexadecimal values)
Instruction/Operation
Instruction Format
Byte 1
Byte 2
Byte 3
Byte4
Programming Enable
$AC
$53
$00
Chip Erase (Program Memory/EEPROM)
$AC
$80
$00
Poll RDY/BSY
$F0
$00
data byte out
Load Instructions
Load Extended Address byte(1)
$4D
$00
Extended adr
$00
Load Program Memory Page, High byte
$48
$00
adr LSB
high data byte in
Load Program Memory Page, Low byte
$40
$00
adr LSB
low data byte in
Load EEPROM Memory Page (page access)
$C1
$00
0000 000aa
data byte in
Read Instructions
Read Program Memory, High byte
$28
adr MSB
adr LSB
high data byte out
Read Program Memory, Low byte
$20
adr MSB
adr LSB
low data byte out
Read EEPROM Memory
$A0
0000 00aa
aaaa aaaa
data byte out
Read Lock bits
$58
$00
data byte out
Read Signature Byte
$30
$00
0000 000aa
data byte out
Read Fuse bits
$50
$00
data byte out
Read Fuse High bits
$58
$08
$00
data byte out
Read Fuse Extended Bits
$50
$08
$00
data byte out
Read Calibration Byte
$38
$00
data byte out
Write Instructions
相關(guān)PDF資料 |
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