參數(shù)資料
型號(hào)： QSZ1
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： General purpose transistor
中文描述： 通用晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 91K
代理商： QSZ1
QSZ1
Transistors
Tr2
1000
4/4
0.001
0.01
0.1
1
10
10
D
F
100
Ta
=
100
°
C
Ta
=
40
°
C
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
2V
Pulsed
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
Fig.8 DC current gain
vs. collector current
0.001
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
1
0.1
I
C
/I
B
=
20/1
V
CE
=
2V
Pulsed
Ta
=
100
°
C
Ta
=
40
°
C
Ta
=
25
°
C
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
Fig.9 Base-emitter saturation voltage
vs. collector current
C
S
C
(
0.001
0.01
0.1
1
10
0.001
C
C
(
0.01
0.1
1
Ta
=
25
°
C
Pulsed
I
C
/I
B
=
10/1
I
C
/I
B
=
20/1
I
C
/I
B
=
50/1
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
Fig.10 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
0
0.5
1
1.5
0.001
C
C
(
0.01
10
0.1
1
V
CE
=
2V
Pulsed
Ta
=
100
°
C
Ta
=
40
°
C
Ta
=
25
°
C
BASE TO EMITTER CURRENT : V
BE
(V)
Fig.11 Grounded emitter propagation
characteristics
0.001
0.01
0.1
1
10
Fig.12 Gain bandwidth product
vs. emitter current
EMITTER CURRENT : I
E
(A)
T
T
(
1000
100
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
2V
f
=
100MHz
0.1
1
0.01
10
1000
100
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
5V
f
=
100MHz
tstg
tdon
tf
tr
10
Fig.13 Switching time
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
S
1
10
100
0.1
1
10
100
1000
f
=
1MHz
I
C
=
0A
Ta
=
25C
C
E
Cib
Cob
Fig.14 Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
Emitter input capacitance
vs. emitter-base voltage
EMITTER TO BASE VOLTAGE : V
EB
(
V)
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : V
CB
(
V)
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