參數(shù)資料
型號： QSZ1
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： General purpose transistor
中文描述： 通用晶體管
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 91K
代理商： QSZ1
QSZ1
Transistors
z
Electrical characteristic curves
Tr1
1000
Ta
=
100
°
C
3/4
Fig.1 DC current gain
vs. collector current
COLLECTOR CURRENT : I
C
(
A)
D
F
0.001
0.01
0.1
100
1
10
PULSED
V
CE
=
2V
40
°
C
25
°
C
Fig.2 Collector-emitter saturation voltage
base-emitter saturation voltage
vs.collector current
COLLECTOR CURRENT : I
C
(
A)
B
(
V
0.001
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
Ta
=
100
°
C
25
°
C
40
°
C
C
C
(
10
PULSED
I
C
/I
B
=
20
Ta
=
100
°
C
25
°
C
40
°
C
Fig.3 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
0.001
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
COLLECTOR CURRENT : I
C
(
A)
C
C
(
V
I
C
/I
B
=
50
/
1
I
C
/I
B
=
20
/
1
I
C
/I
B
=
10
/
1
PULSED
Ta
=
25
°
C
Fig.4 Grounded emitter propagation
characteristics
0
0.5
0.001
0.1
1
0.01
10
1
PULSED
V
CE
=
2V
BASE TO EMITTER VOLTAGE : V
BE
(V
)
C
C
Ta
=
100
°
C
25
°
C
40
°
C
0.001
0.01
0.1
10
100
1000
1
10
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
2V
f
=
100MHz
Fig.5 Gain bandwidth product
vs. emitter current
EMITTER CURRENT : I
E
(
A)
T
01
0.01
0.1
1
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
Fig.6 Switching time
S
10
100
1000
IC=20 IB1=-20IB2
Ta
25
C
f
=
100MHz
tstg
tdon
tr
tf
0.1
1
10
100
1000
10
Ta
=
25
°
C
I
E
=
0mA
f
=
1MHz
Fig.7 Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
Emitter input capacitance
vs. emitter-base voltage
EMITTER TO BASE VOLTAGE : V
EB
(
V
)
E
(
p
)
C
(
p
)
cib
cob
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