參數(shù)資料
型號： PZT651T3
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-261AA
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 60V的五（巴西）總裁|甲一（c）|至261AA
文件頁數(shù)： 2/6頁
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代理商： PZT651T3
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristics
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
60
—
Vdc
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = 100
μ
Adc, IE = 0)
V(BR)CBO
80
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = 10
μ
Adc, IC = 0)
V(BR)EBO
5.0
—
Vdc
Base–Emitter Cutoff Current
(VEB = 4.0 Vdc)
IEBO
—
0.1
μ
Adc
Collector–Base Cutoff Current
(VCB = 80 Vdc, IE = 0)
ON CHARACTERISTICS (2)
ICBO
—
100
nAdc
DC Current Gain
(IC = 50 mAdc, VCE = 2.0 Vdc)
(IC = 500 mAdc, VCE = 2.0 Vdc)
(IC = 1.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
(IC = 2.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
hFE
75
75
75
40
—
—
—
—
—
Collector–Emitter Saturation Voltages
(IC = 2.0 Adc, IB = 200 mAdc)
(IC = 1.0 Adc, IB = 100 mAdc)
VCE(sat)
—
—
0.5
0.3
Vdc
Base–Emitter Voltages
(IC = 1.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
VBE(on)
—
1.0
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 1.0 Adc, IB = 100 mAdc)
VBE(sat)
—
1.2
Vdc
Current–Gain — Bandwidth
(IC = 50 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, f = 100 MHz)
fT
75
—
MHz
2. Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle = 2.0%
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