參數(shù)資料
型號(hào): PZT2222AT1
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor(NPN型外延晶體管)
中文描述: 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA
封裝: CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù): 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 43K
代理商: PZT2222AT1
PZT2222AT1
http://onsemi.com
3
V
i
90%
10%
t
p
t
r
0
V
CC
R2
R1
V
i
D.U.T.
V
o
Figure 1. Input Waveform and Test Circuit for Determining Delay Time and Rise Time
Figure 2. Input Waveform and Test Circuit for Determining Storage Time and Fall Time
V
i
= 0.5 V to +9.9 V, V
CC
= +30 V, R1 = 619 , R2 = 200 .
PULSE GENERATOR:
PULSE DURATION
RISE TIME
DUTY FACTOR
OSCILLOSCOPE:
INPUT IMPEDANCE
INPUT CAPACITANCE
RISE TIME
t
p
3 200 ns
t
r
3
=
Z
i
C
i
<
t
r
> 100 k
12 pF
<
2 ns
0.02
5 ns
t
f
100 s
13.8 V
0
+16.2 V
V
i
TIME
V
CC
Vo
OSCILLOSCOPE
D.U.T.
V
i
R2
R3
R4
D1
R1
V
BB
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PZT2222AT1 SOT-223 PACKAGE NPN SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT
PZT2222 NPN Silicon Switching Transistors
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PZT2907A PNP SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT
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參數(shù)描述
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PZT2222AT1D 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT
PZT2222AT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PZT2222AT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
PZT2222AT1H 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述: