參數(shù)資料
型號(hào)： PTF10100
廠商： ERICSSON
英文描述： 165 Watts, 860-900 MHz LDMOS Field Effect Transistor
中文描述： 165瓦特，860-900兆赫的LDMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大?。?/td> 163K
代理商： PTF10100
e
1
Maximum Ratings
Parameter
Drain-Source Voltage
(1)
Symbol
Value
Unit
V
DSS
65
Vdc
Gate-Source Voltage
(1)
V
GS
±20
Vdc
Operating Junction Temperature
T
J
200
°C
Total Device Dissipation at Tflange = 25°C
Above 25°C derate by
P
D
500
2.85
Watts
W/°C
Storage Temperature Range
T
STG
–40 to +150
°C
Thermal Resistance (Tflange = 70°C)
R
q
JC
0.35
°C/W
(1)
per side
PTF 10100
165 Watts, 860–900 MHz
LDMOS Field Effect Transistor
20
60
100
140
180
0
1
2
Input Power (Watts)
3
4
5
6
7
8
O
0
15
30
45
60
E
V
DD
= 28.0 V
I
DQ
= 1.8 A Total
f = 880 MHz
Typical Output Power & Efficiency vs. Input Power
Output Power
Efficiency
Package 20250
INTERNALLY MATCHED
Performance at 894 MHz, 28 Volts
- Output Power = 165 Watts
- Power Gain = 13.0 dB Typ
- Drain Efficiency = 50% Typ
Full Gold Metallization
Silicon Nitride Passivated
Back Side Common Source
100% lot traceability
Description
The 10100 is an internally matched common source N-channel
enhancement-mode lateral MOSFET intended for large signal amplifier
applications from 860 to 900 MHz. It is rated at 165 watts power output.
Nitride surface passivation and gold metallization ensure excellent
device lifetime and reliability.
A1234569917
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PTF10107 5 Watts, 2.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF10111 6 Watts, 1.5 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF10112 60 Watts, 1.8-2.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF10119 12 Watts, 2.1-2.2 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF10120 120 Watts, 1.8-2.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PTF10107 功能描述:射頻放大器 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
PTF10111 制造商:ERICSSON 制造商全稱:Ericsson 功能描述:6 Watts, 1.5 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF10112 制造商:ERICSSON 制造商全稱:Ericsson 功能描述:60 Watts, 1.8-2.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF10119 功能描述:射頻放大器 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
PTF10120 制造商:ERICSSON 制造商全稱:Ericsson 功能描述:120 Watts, 1.8-2.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
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