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參數(shù)資料
| 型號： | PTB20245 |
| 廠商： | ERICSSON |
| 英文描述： | 35 Watts, 2.1-2.2 GHz Wide-Band CDMA Power Transistor |
| 中文描述： | 35瓦，2.1-2.2 GHz的寬帶CDMA功率晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 303K |
| 代理商： | PTB20245 |
PTB 20245
2
e
7
2050
8
9
10
11
12
2100
2150
2200
2250
Frequency (MHz)
G
20
25
30
35
40
45
50
55
60
O
V
CC
= 26 V
I
CQ
= 250 mA
Typical P
OUT
, Gain & Efficiency
(at P-1dB)
vs. Frequency
Output Power (W)
Efficiency (%)
Gain (dB)
Broadband Test Fixture Performance
2
2100
4
6
8
10
2120
2140
2160
2180
2200
Frequency (MHz)
G
-10
-20
-30
40
50
60
V
CC
= 26 V
I
CQ
= 85 mA
Pout = 35 W
Gain (dB)
Return Loss (dB)
Efficiency (%)
E
R
-0
Electrical Characteristics
(100% Tested)
Characteristic
Conditions
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Breakdown Voltage C to E
V
BE
= 0 V, I
C
= 20 mA
V(
BR)CES
55
—
—
Volts
Breakdown Voltage C to E
I
B
= 0 A, I
C
= 20 mA, R
BE
= 22
V(
BR)CER
55
—
—
Volts
Breakdown Voltage E to B
I
C
= 0 A, I
E
= 5 mA
V(
BR)EBO
3.5
4.0
—
Volts
DC Current Gain
V
CE
= 10 V, I
C
= 1.5 A
h
FE
30
40
—
—
RF Specifications
(100% Tested)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Gain
(V
CC
= 26 Vdc, Pout = 10 W, I
CQ
= 85 mA, f = 2.2 GHz)
Power Output at 1 dB Compression
(V
CC
= 26 Vdc, I
CQ
= 85 mA, f = 2.2 GHz)
Collector Efficiency
(V
CC
= 26 Vdc, Pout = 35 W, I
CQ
= 85 mA, f = 2.2 GHz)
Load Mismatch Tolerance
(V
CC
= 26 Vdc, Pout = 17.5 W, I
CQ
= 85 mA
f = 2.2 GHz—all phase angles at frequency of test)
G
pe
7.5
8.5
—
dB
P–1dB
35.0
—
—
Watts
η
C
—
40
—
%
Ψ
—
—
5:1
—
Typical Performance
4/3/98
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PTB20248 | 0.7 Watts, 1465-1513 MHz Cellular Radio RF Power Transistor |
| PTB20249 | 2.5 Watts, 1465-1513 MHz Cellular Radio RF Power Transistor |
| PTB20258 | 6 Watts, 915-960 MHz Cellular Radio RF Power Transistor |
| PTB20264 | 10 Watts, 1.8-1.9 GHz Cellular Radio RF Power Transistor |
| PTF080101 | LDMOS RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 10W, 860-960MHZ |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PTB20246 | 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| PTB20248 | 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| PTB20249 | 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| PTB-20-24PS | 功能描述:環(huán)形MIL規(guī)格連接器 24P Sz 20 Pin Recept Thru Bulkhead RoHS:否 制造商:Amphenol MIL 類型:MIL-DTL-5015 系列:97 產(chǎn)品類型:Receptacles 外殼大小:28 外殼類型:Potting 觸點類型:Socket (Female) 位置/觸點數(shù)量:14 插入安排:28-2 觸點材料:Copper Alloy 觸點電鍍:Silver 安裝角:Straight 安裝風(fēng)格:Wire 端接類型:Solder 電流額定值: |
| PTB20-24PS | 制造商:Amphenol Industrial Operations 功能描述:PTB 24C 24#20 PIN/SKT RECP |
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