參數(shù)資料
型號： PTB20245
廠商： ERICSSON
英文描述： 35 Watts, 2.1-2.2 GHz Wide-Band CDMA Power Transistor
中文描述： 35瓦，2.1-2.2 GHz的寬帶CDMA功率晶體管
文件頁數(shù)： 1/5頁
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代理商： PTB20245
e
1
PTB 20245
35 Watts, 2.1–2.2 GHz
Wide-Band CDMA Power Transistor
20245
0
10
20
30
40
50
60
0
2
4
6
8
10
12
Input Power (Watts)
O
V
CC
= 26 V
I
CQ
= 100 mA
f = 2000 MHz
Typical Output Power vs. Input Power
Package 20223
Description
The 20245 is a class AB, NPN common emitter RF power transistor
intended for 26 Vdc operation from 2.1 to 2.2 GHz frequency band.
Rated at 35 watts minimum output power for PEP applications, it is
specifically intended for operation as a final or driver stage in Wide
CDMA or TDMA systems. Ion implantation, nitride surface passivation
and gold metallization ensure excellent device reliability. 100% lot
traceability is standard.
35 Watts, 2.1–2.2 GHz
Class AB Characteristics
Gold Metallization
Silicon Nitride Passivated
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Collector-Emitter Voltage
V
CER
55
Vdc
Collector-Base Voltage
V
CBO
55
Vdc
Emitter-Base Voltage (collector open)
V
EBO
3.5
Vdc
Collector Current (continuous)
I
C
7.7
Adc
Total Device Dissipation at Tflange = 25° C
Above 25°C derate by
P
D
200
1.2
Watts
W/°C
Storage Temperature Range
T
STG
–40 to +150
°C
Thermal Resistance (Tflange = 70° C)
R
θ
JC
0.85
°C/W
9/28/98
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PDF描述
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參數(shù)描述
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