參數(shù)資料
型號(hào)： PNZ126S
廠(chǎng)商： PANASONIC CORP
元件分類(lèi)： 光敏三極管
英文描述： Silicon NPN Phototransistor
中文描述： PHOTO TRANSISTOR DETECTOR
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 45K
代理商： PNZ126S
2
Phototransistors
PNZ126S
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
Directivity characteristics
t
r
— I
CE(L)
10
3
10
2
10
1
Collector photo current I
CE(L)
(mA)
R
r
μ
s
1
10
10
2
10
–1
10
–1
V
= 10V
Ta = 25C
t
f
— I
CE(L)
10
3
10
2
10
1
Collector photo current I
CE(L)
(mA)
F
f
μ
s
1
10
10
2
10
–1
10
–1
V
= 10V
Ta = 25C
I
CE(L)
— V
CE
4
3
2
1
0
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
Ta = 25C
T = 2856K
0
20
10
30
P
C
— Ta
60
50
40
30
20
10
Ambient temperature Ta (C )
C
C
0
20
40
60
80
100
0
– 20
I
CE(L)
— L
10
4
10
3
10
2
10
Illuminance L (lx)
C
C
μ
A
10
2
10
3
10
4
110
V
= 10V
Ta = 25C
T = 2856K
Spectral sensitivity characteristics
100
80
60
40
20
Wavelength
λ
(nm)
R
400
600
800
1000
1200
0
200
Ta = 25C
– 20
0
40
80
20
60
100
I
CEO
— Ta
10
4
1
10
–1
10
2
10
10
3
Ambient temperature Ta (C )
V
CE
= 10V
D
C
10
–2
C
C
μ
A
– 20
0
40
80
20
60
100
I
CE(L)
— Ta
10
4
10
3
Ambient temperature Ta (C )
V
= 10V
T = 2856K
10
2
20
90
100
80
70
60
50
40
30
R
R
L
= 1k
500
100
R
L
= 1k
500
100
L = 1500 lx
1000 lx
500 lx
1800 lx
1600 lx
1400 lx
1200 lx
1000 lx
800 lx
600 lx
200 lx
100 lx
400 lx
L =2000 lx
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