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參數(shù)資料
| 型號： | PNZ150L |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 光敏三極管 |
| 英文描述： | Silicon NPN Phototransistor |
| 中文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 46K |
| 代理商： | PNZ150L |
1
PNZ150L
Silicon NPN Phototransistor
For optical control systems
Phototransistors
Electro-Optical Characteristics
(Ta = 25C)
Parameter
Symbol
I
CEO
S
IR*1
V
CE(sat)
λ
P
t
r
, t
f*2
θ
Conditions
min
typ
0.01
max
0.2
Unit
μ
A
μ
A
V
nm
μ
s
deg.
Dark current
Sensitivity to infrared emitters
Collector saturation voltage
Peak sensitivity wavelength
Response time
Acceptance half angle
V
CEO
= 10V
V
CE
= 10V, H = 15
μ
W/cm
2
V
CE
= 10V, H = 15
μ
W/cm
2
V
CEO
= 10V
V
CC
= 10V, I
CE(L)
= 5mA, R
L
= 100
Measured from the optical axis to the half power point
16
0.2
800
4
35
0.5
*1
Measurements were made using infrared light (
λ
= 940 nm) as a light source.
*2
Response time measurement circuit
4.5
±
0.3
4.2
±
0.3
1.9
2.3
Unit : mm
1: Emitter
2: Collector
2
1
2
2
2
4
±
0
4
±
1
2-1.12
2-0.45
±
0.15
0.4
±
0.15
1.2
2-0.6
±
0.15
2-0.45
±
0.15
2.54
1
2
N
3.5
±
0.2
R1.75
1
(Input pulse)
(Output pulse)
50
R
L
t
d
: Delay time
t
r
: Rise time (Time required for the collector photo current to
increase from 10% to 90% of its final value)
t
f
: Fall time (Time required for the collector photo current to
decrease from 90% to 10% of its initial value)
V
CC
Sig.OUT
10%
90%
Sig.IN
t
d
t
r
t
f
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25C)
Parameter
Symbol
V
CEO
I
C
P
C
T
opr
T
stg
Ratings
20
20
100
–25 to +85
–30 to +100
Unit
V
mA
mW
C
C
Collector to emitter voltage
Collector current
Collector power dissipation
Operating ambient temperature
Storage temperature
Features
High sensitivity
Wide spectral sensitivity, suited for detecting GaAs LEDs
Low dark current
Small size, thin side-view type package
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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