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參數(shù)資料
| 型號： | PNZ1270 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 光敏三極管 |
| 英文描述： | Silicon NPN Phototransistor |
| 中文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 45K |
| 代理商： | PNZ1270 |
1
PNZ1270
Silicon NPN Phototransistor
For optical control systems
Phototransistors
2.8
±
0.2
3.2
±
0.3
0
±
0
0
45
1
2
10.0 min.
Type number : Emitter mark (Blue)
10.0 min.
3.2
±
0.3
1.8
1.8
(
(
0
±
0
2
±
0
2
±
0
1
±
0
0
±
R0.9
1.8
1: Collector
2: Emitter
Unit : mm
(Input pulse)
(Output pulse)
50
R
L
t
d
: Delay time
t
r
: Rise time (Time required for the collector photo current to
increase from 10% to 90% of its final value)
t
f
: Fall time (Time required for the collector photo current to
decrease from 90% to 10% of its initial value)
V
CC
Sig.OUT
10%
90%
Sig.IN
t
d
t
r
t
f
*3
I
CE(L)
Classifications
Class
Q
R
S
T
I
CE(L)
(mA)
0.8 to 2.4
1.6 to 4.8
3.2 to 9.6
6.4 to 19.2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25C)
Parameter
Symbol
V
CEO
V
ECO
I
C
P
C
T
opr
T
stg
Ratings
20
5
20
50
–25 to +85
–30 to +100
Unit
V
V
mA
mW
C
C
Collector to emitter voltage
Emitter to collector voltage
Collector current
Collector power dissipation
Operating ambient temperature
Storage temperature
Electro-Optical Characteristics
(Ta = 25C)
Parameter
Symbol
I
CEO
I
CE(L)*3
λ
P
θ
t
r*2
t
f*2
Conditions
min
typ
1
max
100
19.2
Unit
nA
mA
nm
deg.
μ
s
μ
s
Dark current
Collector photo current
Peak sensitivity wavelength
Acceptance half angle
Rise time
Fall time
V
CE
= 10V
V
CE
= 10V, L = 1000 lx
*1
V
CE
= 10V
Measured from the optical axis to the half power point
0.8
800
14
2.5
3.5
V
CC
= 10V, I
CE(L)
= 1mA, R
L
= 100
*1
Measurements were made using a tungsten lamp (color temperature T = 2856K) as a light source.
*2
Switching time measurement circuit
Features
High sensitivity
Good collector photo current linearity with respect to optical
power input
Fast response : t
r
= 2.5
μ
s (typ.)
Small size designed for easier mounting to printed circuit board
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