參數(shù)資料
型號： PNZ123S
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 光敏三極管
英文描述： Silicon NPN Phototransistor
中文描述： PHOTO TRANSISTOR DETECTOR
封裝： CERAMIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 43K
代理商： PNZ123S
2
Phototransistors
PNZ123S
F
f
μ
s
t
r
— I
CE(L)
10
3
10
2
10
1
Collector photo current I
CE(L)
(mA)
R
r
μ
s
10
–1
1
10
10
–1
10
–2
V
= 10V
Ta = 25C
t
f
— I
CE(L)
10
3
10
2
10
1
Collector photo current I
CE(L)
(mA)
10
–1
1
10
10
–1
10
–2
V
= 10V
Ta = 25C
I
CE(L)
— V
CE
1600
1200
800
400
0
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
μ
A
0
20
16
8
12
4
24
Ta = 25C
T = 2856K
P
C
— Ta
60
50
40
30
20
10
Ambient temperature Ta (C )
C
C
0
20
40
60
80
100
0
– 20
I
CE(L)
— L
10
4
10
3
10
2
10
Illuminance L (lx)
C
C
μ
A
10
2
10
3
10
4
110
V
= 10V
Ta = 25C
T = 2856K
Spectral sensitivity characteristics
100
80
60
40
20
Wavelength
λ
(nm)
R
400
600
800
1000
1200
0
200
V
= 10V
Ta = 25C
C
C
μ
A
– 20
0
40
80
20
60
100
I
CE(L)
— Ta
10
4
10
3
Ambient temperature Ta (C )
V
= 10V
T = 2856K
10
2
I
CEO
— Ta
10
3
10
1
10
2
Ambient temperature Ta (C )
V
CE
= 10V
D
C
10
–1
– 20
0
40
80
20
60
100
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
Directivity characteristics
20
90
100
80
70
60
50
40
30
R
1750 lx
1500 lx
1250 lx
1000 lx
750 lx
500 lx
250 lx
L =2000 lx
L = 1500 lx
1000 lx
R
L
= 1k
500
100
R
L
= 1k
500
100
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