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參數(shù)資料
| 型號： | PNZ109L |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 光敏三極管 |
| 英文描述： | Silicon NPN Phototransistor |
| 中文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 封裝： | MTGLR103-001, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 46K |
| 代理商： | PNZ109L |
2
Phototransistors
PNZ109L
I
CE(L)
— L
Illuminance L (lx)
C
C
V
= 10V
Ta = 25C
T = 2856K
10
3
10
2
10
1
10
–1
10
10
3
10
4
10
2
10
–2
1
Spectral sensitivity characteristics
100
80
60
40
20
Wavelength
λ
(nm)
R
700
800
900
1000
1100
1200
0
600
V
= 10V
Ta = 25C
t
r
— I
CE(L)
Collector photo current I
CE(L)
(mA)
R
r
μ
s
V
= 10V
Ta = 25C
10
4
10
3
10
2
10
1
10
–1
10
–1
10
10
2
1
10
–2
t
f
— I
CE(L)
Collector photo current I
CE(L)
(mA)
F
f
μ
s
V
= 10V
Ta = 25C
10
4
10
3
10
2
10
1
10
–1
10
–1
10
10
2
1
10
–2
I
CE(L)
— Ta
10
2
10
Ambient temperature Ta (C )
V
= 10V
L = 100 lx
T = 2856K
C
C
1
0
40
80
120
I
CEO
— Ta
10
2
10
–1
10
10
–2
1
Ambient temperature Ta (C )
V
CE
= 10V
D
C
μ
A
10
–3
– 20
0
40
80
20
60
100
P
C
— Ta
200
160
120
80
40
Ambient temperature Ta (C )
C
C
0
20
40
60
80
100
0
– 20
Ta = 25C
T = 2856K
I
CE(L)
— V
CE
20
16
12
4
8
0
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
20
16
8
12
4
24
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
Directivity characteristics
90
100
80
70
60
50
40
30
R
R
L
= 1k
500
100
R
L
= 1k
500
100
L = 10 lx
100 lx
200 lx
300 lx
500 lx
1000 lx
50 lx
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| PN115 | Silicon NPN Phototransistor |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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