參數(shù)資料
型號(hào)： PMWD22XN
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： Dual N-channel uTrenchMOS extremely low level FET
中文描述： 9.2 A, 20 V, 0.024 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-153AA
封裝： PLASTIC, TSSOP-8
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 79K
代理商： PMWD22XN
9397 750 15093
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 15 August 2005
3 of 12
Philips Semiconductors
PMWD22XN
Dual N-channel
μ
TrenchMOS extremely low level FET
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of solder point temperature
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of solder point temperature
T
sp
= 25
°
C; I
DM
is single pulse; V
GS
= 4.5 V
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage
Fig 3.
03aa17
0
40
80
120
0
50
100
150
200
T
sp
(
°
C)
P
der
(%)
03aa25
0
40
80
120
0
50
100
150
200
T
sp
(
°
C)
I
der
(%)
P
der
P
tot 25 C
)
------------------------
100
%
×
=
I
der
I
D 25 C
)
--------------------
100
%
×
=
003aaa786
10
-2
10
-1
1
10
10
2
10
-1
1
10
10
2
V
DS
(V)
I
D
(A)
10
μ
s
t
p
=
DC
1 ms
10 ms
100
μ
s
Limit R
DSon
= V
DS
/ I
D
100 ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PMWD26UN 100mA CMOS Voltage Converter; Package: PDIP; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PMZ760SN uTrenchMOS (tm) standard level FET
PN101F PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-4.7
PN102F PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-4.7
PN102 Silicon planar type
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參數(shù)描述
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