參數(shù)資料
型號： PMWD22XN
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： Dual N-channel uTrenchMOS extremely low level FET
中文描述： 9.2 A, 20 V, 0.024 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-153AA
封裝： PLASTIC, TSSOP-8
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大?。?/td> 79K
代理商： PMWD22XN
1.
Product profile
1.1 General description
Dual common drain N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a
plastic package using TrenchMOS technology.
1.2 Features
1.3 Applications
1.4 Quick reference data
2.
Pinning information
PMWD22XN
Dual N-channel
μ
TrenchMOS extremely low level FET
Rev. 01 — 15 August 2005
Product data sheet
I
Low threshold voltage
I
Fast switching
I
Common drain
I
Portable appliances
I
Battery management
I
V
DS
≤
20 V
I
R
DSon
≤
26 m
I
I
D
≤
9.2 A
I
Q
GD
= 2.7 nC (typ)
Table 1:
Pin
1, 8
2, 3
4
5
6, 7
Pinning
Description
drain (D)
source1 (S1)
gate1 (G1)
gate2 (G2)
source2 (S2)
Simplified outline
Symbol
SOT530-1 (TSSOP8)
1
4
8
5
mbl600
D
D
G1
S1
G2
S2
相關PDF資料
PDF描述
PMWD26UN 100mA CMOS Voltage Converter; Package: PDIP; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PMZ760SN uTrenchMOS (tm) standard level FET
PN101F PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-4.7
PN102F PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-4.7
PN102 Silicon planar type
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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